CMOS逻辑门的电压传输特性曲线与TTL逻辑门比较.docx

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1、CMOS逻辑门的电压传输特性曲线与TTL逻辑门比较CMOS逻辑门的电压传输特性曲线的外形与TTL逻辑门的外形相似，如图18.36所示，两者相比也有较大不同。CMOS逻辑门的输出高电平的数值基本上等于电源供电电压值，也就是说为了获得一个相同的高电平值，对于CMOS集成电路所需要的供电电压值要更小一些，或称之为CMOS集成电路对电源电压的利用率高。在5V供电电压条件下，CMOS逻辑门的高电平值要比TTL逻辑门高出大约一伏多。CMOS逻辑门的输出低电平的数值基本上等于零,一般小于0.1V,CMOS逻辑门的低电平值要比TTL逻辑门更低，所以CMOS逻辑门的逻辑摆幅比TTL逻辑门要大许多。一般条件下,C

2、MOS的高电平比VDD小0.1V,低电平约为0.1V。不同供电电压条件下,TTL和CMOS逻辑门的逻辑电平的范围如图18-4-4所示。TTL集成电路的供电电压是5V,CMOS集成电路可以有更宽阔的供电电压范围，可以从一点几伏到二十几伏。低的供电电压和微功耗，有利于便携式电子仪器。、CMOS逻辑门的阈值电平大约等于电源电压的50%,一般在电源电压的45%55%之间。在5V供电电压条件下，CMe)S逻辑门的阈值要比TTL逻辑门的阈值高出大约IV,因此CMOS逻辑门的抗干扰能力要比TTL逻辑门高，特别是在低电平这一侧。图18-4-3CMOS电压传输特性曲线CMOS逻辑门的缺点是比较容易受到静电的损伤

3、，由于场效应管的栅极源极之间几乎是绝缘的，电阻十分大，而栅源之间的电容又较小。所以一旦受到静电的影响，栅源之间会有较高的电压产生，这个电压很可能击穿栅极，使场效应管损坏。不过现在制造的MoS集成电路都有输入保护回路，用以防止静电损伤，但仍应注意静电的危害。以下两个问题，虽不一定是缺点，需要注意。CMOS电路的功耗很小是指它的静态功耗很小，动态功耗不一定小。由于静态功耗极小，所以在MOS管的开关过程中，会有NMOS管从开到关，PMOS管从关到开，或NMe)S管从关到开，PMOS管从开到关的暂短同时导通的时间，这样就形成了动态功耗。CMoS电路的动态功耗基本上随工作频率的增加而线性增加，在静态时，

4、CMOS电路的静态功耗在微瓦数量级，在工作频率达到IMHZ时，可能达到毫瓦数量级。TTL逻辑门和CMOS逻辑门的速度功耗曲线见图18-4-5oECE-510tlTO-5.2V / iECL-7 ,TO-2ZZ/7/,)/STTL/7JTL/LS/ZCM :CM 、CMDS(15V)s(ovy OS (5 V)Z/CL=II5pl；10IO2101.01()-IO-20箱门功耗(mW)IO2IO3 IO4 IO5 IO6 IO7 IO8 输入频率(HZ)104图18-4-4CMOS和TTL逻辑门的逻辑电平图18-4-5速度功耗曲线CMOS电路既然没有输入电流，那么它的扇出系数是否很大？答案是否定

5、的。因为从电流的角度，CMOS门是可以带很多很多的门，但从动态的情况看,带的门越多，输出端的分布电容也越大，相当CL很大，时间常数加大。这就使输出电压从低电平向高电平变化时，上升沿变慢，限制了该逻辑门的工作速度。所以CMoS电路的扇出也不是十分的大，扇出主要受制于逻辑门的工作速度。低速时，可以带较多的门，高速工作时，就带不了那么多了。CMOS逻辑电路CMOS是单词的首字母缩写，代表互补的金属氧化物半导体(ComDIementaryMetal-Oxide-Semiconductor)它指的是一种特殊类型的电子集成电路(IC)。集成电路是一块微小的硅片，它包含有几百万个电子元件。术语IC隐含的含义

6、是将多个单独的集成电路集成到一个电路中，产生一个十分紧凑的器件。在通常的术语中，集成电路通常称为芯片，而为计算机应用设计的IC称为计算机芯片。虽然制造集成电路的方法有多种，但对于数字逻辑电路而言CMOS是主要的方法。桌面个人计算机、工作站、视频游戏以及其它成千上万的其它产品都依赖于CMOS集成电路来完成所需的功能。当我们注意到所有的个人计算机都使用专门的CMOS芯片，如众所周知的微处理器，来获得计算性能时，CMOSIC的重要性就不言而喻了CMoS之所以流行的一些原因为：逻辑函数很容易用CMOS电路来实现。CMOS允许极高的逻辑集成密度。其含义就是逻辑电路可以做得非常小，可以制造在极小的面积上。

7、用于制造硅片CMOS芯片的工艺已经是众所周知并且CMOS芯片的制造和销售价格十分合理。这些特征及其它特征都为CMOS成为制造IC的主要工艺提供了基础。CMOS可以作为学习在电子网络中如何实现逻辑功能的工具CMOS它允许我们用简单的概念和模型来构造逻辑电路。而理解这些概念只需要基本的电子学概念。CMOS逻辑门电路的系列及主要参数：1 CMoS逻辑门电路的系列CMOS集成电路诞生于20世纪60年代末，经过制造工艺的不断改进，在应用的广度上已与TTL平分秋色，它的技术参数从总体上说，已经达到或接近TTL的水平，其中功耗、噪声容限、扇出系数等参数优于TTLCMOS集成电路主要有以下几个系列。(1)基本

8、的CMOS4000系列。这是早期的CMOS集成逻辑门产品，工作电源电压范围为318V，由于具有功耗低、噪声容限大、扇出系数大等优点，已得到普遍使用C缺点是工作速度较低*平均传输延迟时间为几十ns，最高工作频率小于5MHz(2)高速的CMOSHC(HCT)系歹IJ。该系列电路主要从制造工艺上作了改进，使其大大提高了工作速度，平均传输延迟时间小于10ns，最高工作频率可达50MHz。HC系列的电源电压范围为26V。HCT系列的主要特点是与TTL器件电压兼容它的电源电压范围为4.55.5V。它的输入电压参数为VIH(min)=2.0V：VIL(max)=0.8V，与TTL完全相同。另外，74HC/H

9、CT系列与74LS系列的产品，只要最后3位数字相同，则两种器件的逻辑功能、外形尺寸，引脚排列顺序也完全相同，这样就为以CMOS产品代替TTL产品提供了方便。(3)先进的CMoSAC(ACT)系歹IJ该系列的工作频率得到了进一步的提高同时保持了CMOS超低功耗的特点。其中ACT系列与TTL器件电压兼容，电源电压范围为4.55.5VAC系列的电源电压范围为1.55.5VAC(ACT)系列的逻辑功能、引脚排列顺序等都与同型号的HC(HCT)系列完全相同。2 CMOS逻辑门电路的主要参数CMOS门电路主要参数的定义同TTL电路，下面主要说明CMOS电路主要参数的特点。(1)输出高电平VOH与输出低电平

10、VoL。CMOS门电路VOH的理论值为电源电压VDD，VOH(min)=0.9VDD：VOL的理论值为OV，VOL(max)=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大，接近电源电压VDD值。(2)阈值电压Vth。从CMOS非门电压传输特性曲线中看出，输出高低电平的过渡区很陡，阈值电压Vth约为VDD/2。(3)抗干扰容限。CMoS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD因此，其高，低电平噪声容限均达0.45VDD。其他CMOS门电路的噪声容限一般也大于0.3VDD，电源电压VDD越大，其抗干扰能力越强。(4)传输延迟与功耗。CMOS电路的

11、功耗很小，一般小于1mW，但传输延迟较大，一般为几十ns门，且与电源电压有关，电源电压越高，CMOS电路的传输延迟越小，功耗越大。前面提到74HC高速CMOS系列的工作速度己与TTL系列相当。(5)扇出系数。因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，一般额定扇出系数可达50。但必须指出的是，扇出系数是指驱动CMOS电路的个数，若就灌电流负载能力和拉电流负载能力而言，CMOS电路远远低干TTL电路。CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件CMOS电路的工

12、作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。MOS管主要参数：1.开启电压VT开启电压(又称阈值电压)：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；标准的N沟道MOS管，VT约为36V:通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到23V。2 .直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示 M0S管的RGS可

13、以很容易地超过10103 .漏源击穿电压BVDS 在VGS=O(增强型)的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面：(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零即产生漏源间的穿通，穿通后源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区产生大的ID4.栅源击穿电压BVGS 在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS5 .低频跨导gm 在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量

14、和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 是表征MOS管放大能力的一个重要参数 一般在十分之几至几mA的范围内6 .导通电阻RON 导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=O的状态下所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内7 .极间电容 三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS CGS和CGD约为13pF CDS约在0.11pF之间8 .低频噪声系数NF 噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输入时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化 噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝(dB) 这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小 低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小