巨磁阻效应和在自旋电子学方面的应用.doc
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1、巨磁阻效应与其在自旋电子学方面的应用所谓磁电阻(magnetoresistance ,MR) 效应,是指某些铁磁性材料在受到外加磁场作用时引起电阻变化的现象。对于传统的铁磁导体,如Fe 、Co 、Ni 与其合金等,在大多数情况下,磁电阻效应很小(约3% 或更低)。而巨磁阻效应(giant magnetoresistance ,GMR) ,是指在磁性材料和非磁性材料相间的多层膜中,电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象. 其值较Fe 、Ni 合金各向异性磁电阻效应约大一个数量级。巨磁阻效应现在已经成为凝聚态物理五大热点之一,2007年物理学诺贝尔奖就授予了发现巨磁阻效应得法国
2、科学家阿尔贝.菲尔和德国科学家彼得.格林贝格尔1。W.Thom son在1857年首先发现了铁磁多晶体的各项异性磁效应(AMR, Anisotrop ic Magnetoresistance)。1988 年,法国巴黎大学的菲特教授领导的课题组和德国尤利希研究中心的格林伯格教授的课题组几乎同时独立发现了巨磁电阻效应(GMR) 2 3。20世纪90年代,人们在Fe/Cu,Fe/Al,Co/Cu,Co/Ag和Co/Au等纳米结构的多层膜中观察到了显著的巨磁阻效应。1993年,德国西门子公司的Helmolt等人在La2/3Ba1/3MnO3薄膜中观察到了60%的巨磁电阻效应,随后在La2/3Ca1/3
3、MnO3 中观察到了105%的巨磁阻效应。1995年熊光成等人在美国Maryland大学发现钙钛矿型锰氧化物Nd0.7Sr0.3MnO3在77K,8 T 时GMR达到了创纪录的106%。近来在许多其他物理系统中也发现了更大的磁电阻效应与有关的物理现象, 颗粒膜磁电阻效应、隧道磁电阻效应( Tunneling Magnetoresistance , TMR) 以与锰钙钛矿化合物的庞磁电阻效应( Colossal Magnetore resistance ,CMR) 相继被发现或取得重大的进展。最近20年来,在新现象、新材料和器件、新技术应用等方面都出现了若干突破性的进展,并形成新的学科:磁电子学
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