APD培训资料.ppt
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1、PIN光电二极管 由于PN结耗尽层只有几微米,大部分入射光被中性区吸收,因而光电转换效率低,响应速度慢。为改善器件的特性,在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I),这种结构便是常用的PIN光电二极管。PIN光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体,用(N)表示;两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,用P+和N+表示。I层很厚,吸收系数很大,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子-空穴对,因而大幅度提高了光电转换效率。两侧P+层和N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,
2、从而大大提高了响应速度。另外,可通过控制耗尽层的宽度w,来改变器件的响应速度。,图3.21 PIN光电二极管结构,APD(Avalanche photo diodes),雪崩光电二极管(APD),光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图3.24。随着反向偏压的增加,开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时,光电流急剧增加,最后器件被击穿,这个电压称为击穿电压UB。APD就是根据这种特性设计的器件。,图 3.24 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系,噪声电流和带宽的关系,例子:,根据光电效应,当光入射到PN结时,光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/
3、cm以上,初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞,使晶格原子电离,产生新的电子-空穴对。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞,产生连锁反应,致使载流子雪崩式倍增,见图3.25。所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。,图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图,APD的结构有多种类型,如图3.26示出的N+PP+结构被称为拉通型APD。在这种类型的结构中,当偏压加大到一定值后,耗尽层拉通到(P)层,一直抵达P+接触层,是一种全耗尽型结构。拉通型雪崩光电二极管(RAPD)具有光电转换效率高、响应速度快和附加噪声低等优点。,图3.26 AP
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