维修电工理论基础知识.doc
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1、 (一)选择题 1在多级放大电路的级间耦合中,低频电压放大电路主要采用( A )耦合方式。 A)阻容 (B)直接 (C)变压器 (I)电感 2共发射极偏嚣电路中在直流通路中计算静态工作点的方法称为( C)。 (A)图解分析法 (B)图形分析法 (C)近似估算法 (D)正交分析法 3磁极周围存在着一种特殊物质,这种物质具有力和能的特性,该物质叫( B )。 A)磁性 (B)磁场 (C)磁力 (D)磁体 4关于磁场的根本性质如下说法错误的答案是( D )。 (A)磁场具有能的性质 (B)磁场具有力的性质 (C)磁场可以相互作用 (D)磁场也是由分子组成 5关于相对磁导率下面说确的是( B) (A)
2、有单位 (B)无单位 (C)单位是亨米 (D)单位是特 6以如下材料分别组成一样规格的四个磁路,磁阻最大的材料是( C)(A)铁 (B)镍 (C)黄铜 (f1)锚 7。在一个磁导率不变的磁路中,当磁通势为5安匝时磁通为1 Wb;当磁通势为10安匝时,磁通为( C )Wb, (A)25 (B)10 (C)2 (I)58在铁磁物质组成的磁路中。磁阻是非线性的原因是(A磁导率 )是非线性的。 (A)磁导率 (B)磁通(C)电流 (D)磁场强度9线圈中的感应电动势大小与线圈中( C磁通的变化率成正比 )。(A)磁通的大小成正比 (B)磁通的大小成反比 (C)磁通的变化率成正比 (I)磁通的变化率成反比
3、 10根据电磁感应定律e=一N(t)求m的感应电动势,是在t这段时间的( A平均值 )。 (A)平均值 (13)瞬时值 (C)有效值 (D)最大位 11空心线圈的自感系数与( C )有关。 (A)通过线圈电流的方向(B)周围环境温度 (C)线圈的结构 (D)通过线圈电流的时问长短 1 2与自感系数无关的是线圈的( D 电阻 ), (A)几何形状 (B)匝数(C)磁介质 (D)电阻1 3自感电动势的大小正比于本线圈中电流的( D变化率 )。 (A)大小 (13)变化量(C)方向 (D)变化率 14线圈自感电动势的大小与( D线圈的电阻 )无关。 (A)线圈中电流的变化率 (B)线圈的匝数(C)线
4、圈周围的介质 (D)线圈的电阻 1 5互感电动势的大小正比于( D另一线圈电流的变化率 )。 (A)本线圈电流的变化地(B)另一线圈电流的变化量 (C)本线圈电流的变化率(D)另一线圈电流的变化率 1 6互感器是根据( C电磁感应 )原理制造的。 (A)能量守恒 (B)能量变换 (C)电磁感应 (D)阻抗变换 1 7感应炉涡流是( C装料中的感应电流 )。 (A)装料中的感应电势 (B)流于线圈中的电流(C)装料中的感应电流 (D)线圈中的漏电流 18涡流是( C一种感应电流 )。 (A)感应电动势 (B)产生于线圈中的电流 (C)一种感应电流 (D)自感电流19一个1 000匝的环形线圈,其
5、磁路的磁阻为500H-1,当线圈中的磁通为2 Wb时,线圈中的电流为( C )A。 (A)l0 (B)0.1 (C)1 (I)5 20使用JSS一4A型晶体三极管测试仪时,在电源开关未接通前,先将电压选择开关、电流选择开关放在( A )量程上。 (A)所需 (B)最小 (C)最大 (D)任意21JSS一4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和( C )的常用仪器。 (A)击穿电压 (B)耗散功率 C饱和电流 (D)频率特性 22JSS一4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源局部有( B )挡输出且连续可调,给被测管提供偏流。 (A)一 (B)两 (C)三 (D)四
6、23JSS一4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源局部有( B )的输出电压。供被测管偏压使用。 (A)1V和10 V (B)10 V和30 V (C)30 V和60 V (D)60 V和100 V 24用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,( D )。 (A)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于集电极电流 (B)X轴作用开关置于集IU极电压,Y 轴作用开关置于集电极电流 (C)X轴作用开关置于集电极电压Y轴作用开关置于基极电压 (D)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流 25用晶体管图示仪观察显示3AGlE的输出特性时,( B )。 (A)基极阶梯信号和集电极扫描
7、信号的极性开关都拨向“十 (B)基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“一 (C)基极阶梯信号极性开关拨向“+,集电极扫描信号拨向“一 (D)基极阶梯信号极性开关拨向“一,集电极扫描信号拨向“十 26JTl型。粘体管图示仪输出集电极电压的峰值是( B )V (A)100 (B)200 (C)500 (D)1 000 27jT一型晶体管图示仪“集电极扫描信号中,功耗限制电阻的作用是( D )。 (A)限制集电极功耗(B)保护品体管 (C)把集电极电压变化转换为电流变化 (D)限制集电极功耗,保护被测晶体管 28用普通示波器观测正弦交流电波形,当荧光屏出现密度很高的波形而无法观测时,应首先先
8、调整D 旋钮。 (A)X轴增幅 (B)扫描围 (C)X轴位移 (|)整步增幅29使用SB一10型普通示波器观察信号波形时,欲使显示波形稳定,可以调节(D )旋钮。 (A)聚焦 (B)整步增幅 (C)辅助聚焦 (D)辉度 30示波器面板上的“聚焦就是调节( C )的电位器旋钮。 (A)控制删极正压 (B)控制栅极负电压(C)第一阳极正电压 (D)第二阳极正电压 31示波器晒板上的“辉度是调节( A )的电位器旋钮。 (A)控制栅极负电压 (B)控制栅极正电压(C)阴极负电压 (D)阴极正电压32通常在使用SBT一5型同步示波器观察被测信号时,“X轴选择应置于( D )挡。 (A)1 (B)10
9、(C)100 (I)扫描33使用SBT一5型同步示波器观察宽度为50 m、重复频率为5 000 Hz的矩形脉冲,当扫描时间置于10 m挡(扫描微调置于校正)时,屏幕上呈现( A )。 (A)约5 cm宽度的单个脉冲(B)约10 cm宽度的单个脉冲 (C)约5 cm宽度的两个脉冲(D)约10 cm宽度的两个脉冲 34观察持续时间很短的脉冲时,最好用( C )示波器。 (A)普通 (B)双踪 (C)同步 (D)双线 35同步示波器采用触发扫描时,要求触发扫描电压的工作周期( B )被测脉冲所需要观测的部位(一个周期、脉宽、前沿等)。 (A)远大于 (B)略大于或等于 (C)小于 (D)远小于 36
10、使用SR一8型双踪示波器时,如果找不到光点,可调整(D ),借以区别光点的位置。 (A)“X轴位移 (B)“Y轴位移(C)“辉度 (D)“寻迹 37SR一8型双踪示波器中的“DC一一上一AC是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关,当此开关置于“上挡时,表示(A )。 (A)输入端接地 (B)仪表应垂直放置 (C)输入端能通直流 (D)输入端能通交流 38SR一8型双踪示波器中的电子开关处在“交替状态时,适合于显示( B )的信号波形。 (A)两个频率较低 (B)两个频率较高(C)一个频率较低 (I)一个频率较高39SR一8型双踪示波器中的电子开关有(D )个工作状态。 (A)2 (B)3
11、 (C)4 (D)540影响模拟放大电路静态工作点稳定的主要因素是(D )。 (A)三极管的卢值 (B)三极管的穿透电流(C)放大信号的频率 (D)工作环境的温度41在模拟放大电路中集电极负载电阻Rc的作用是( C )。 (A)限流 (B)减小放火电路的失真 (C)把三极管的电流放大作用转变为电压放大作用 (D)把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用 42正弦波振荡器的振荡频率f取决于( D )。 (A)反响强度 (B)反响元件的参数 (C)放大器的放大倍数 (D)选频网络的参数 43低频信号发生器的振荡电路一般采用的是( D )振荡电路。 (A)电感三点式 (B)电容三点式 (C)石英晶体
12、 (D)RC 44在多级直流放大器中,对零点飘移影响最大的是( A )。 A)前级 (B)后级 (c)中间级 D)前后级一样 45直流差动放大电路可以( B )。(A)放大共模信号,抑制差模信号(B)放大差模信号,抑制共模信号(C)放大差模信号和共模信号(D)抑制差模信号和共模信号46集成运算放大器的开环差模电压放大倍数高,说明 D )。 (A)电压放大能力强 (B)电流放大能力强(C)共模抑制能力强 (D)运算精度高47在硅稳压管稳压电路中,限流电阻R的作用是B )。(A)既限流又降压 (B)既限流又调压(C)既降压又凋压 (D)既凋压又调流48串联型稳压电路中的调整管工作在( A )状态。
13、(A)放大 (B)截止 (C)饱和 (D)任意49或非门的逻辑功能为(A )。(A)入1出0,全0出1 (B)入1出1,全0出0(C)人0出0,全1出1 (D)人0出1,全1出050TTL与非门输入端全部接高电平时,输出为 B )。(A)零电平(B)低电平(C)高电平(D)可能是低电平,也可能是高电平51TTL与非门的输入端全部同时悬空时,输出为B )。(A)零电平(B)低电平C)高电平 (D)可能是低电平,也可能是高电平52或非门RS触发器的触发信号为( B )。 (A)正弦波 (B)正脉冲 (C)锯齿波 (D)负脉冲53.在或非门RS触发器中,当R=1、s=0时,触发器态( B )。 (A
14、)置1 (B)置0 (C)不变 (D)不定54.多谐振荡器是一种产生( C )的电路。 (A)正弦波 (B)锯齿波 (C)矩形脉冲 (D)尖顶脉冲55石英晶体多谐振荡器的振荡频率( A )。 (A)只决定于石英晶体本身的谐振频率 (B)决定于R的大小 (C)决定于C的大小 (D)决定于时间常数RC56.一异步三位二进制加法计数器,当第4个CP脉冲过后,计数器状态变为( C )。 (A)000 (B)010 (C)100 (D)10l57一异步三位二进制加法计数器,当第8个CP脉冲过后,计数器状态变为(A )。 (A)000 (B)010 (C)110 (D)10158如果需要存放两位二进制数码
15、,需用( B )个触发器。 (A)1 (B)2 (C)4 (D)859存放器主要由( D )组成。 (A)触发器 (B)门电路(C)多谐振荡器 (I)触发器和门电路60最常用的显示器件是( B )数码显示器。(A)五段 (B)七段 (C)九段 (D)十一61国产YS系列荧光数码管的阳极工作电压为( D )。(A)1.5 V (B)3 V (C)0.6 V (D)20 V62三相电动机负载与对整流电源要求较高的场合一般采用( C )整流电路。 (A)单相半波 (B)三相半波(C)二相桥式半控 (D)三相桥式全控63在三相桥式半控整流电路中,对于共IJ极组晶闸管来说,只有( A )一相的晶闸管且有
16、触发脉冲时才能导通。 (A)阳极电压最高 (B)阳极电压最低(C)阴极电压最高 (I)阴极电压最低64在三相半控桥式整流电路带电阻性负载的情况下,能使输出电压刚好维持连续的控制角a等于( C )。(A)30。 (B)45。 (C)60。 (D)90。65在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,两组三相半波电路是( A )工作的。 (A)同时并联 (B)同时串联 (C)不能同时并联 (D)不能同时串联66在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,负载电流同时由( B )承担的。 (A)一个晶闸管和一个绕组B)两个晶闸管和两个绕组(C)三个晶闸管和三个绕组 (D)四个品闸管和四个绕组67晶闸管斩波器
17、是应用于直流电源方面的调压装置,其输出电压(D )。 (A)是固定的 (B)可以上调,也可以下调 (C)只能上调 (D)只能下调68在简单逆阻型晶闸管斩波器中,( D )晶闸管。 (A)只有一只(B)有两只主(C)有两只辅助 (D)有一只主晶闸管,一只辅助69晶闸管逆变器输出交流电的频率由( D )来决定。 (A)一组晶闸管的导通时间 (B)两组晶闸管的导通时间 (C)一组晶闸管的触发脉冲频率 ( D)两组晶闸管的触发脉冲频率70在并联谐振式晶闸管逆变器中,为求得较高的功率因数和效率,应使晶闸管触发脉冲的频率( C )负载电路的谐振频率。 (A)远大于 (B)大于 (C)接近于 (D)小于71
18、电力场效应管MOSFET是( B )器件。 (A)双极型 (B)多数载流子 (C)少数载流子 (D)无载流子72电力场效应管MOSFET适于在( D )条件下工作。 (A)直流 (B)低频 (C)中频 (D)高频73逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( D )。 (A)品闸管 (B)电力晶体管 (C)可关断品闸管 (D)电力场效应管74电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止 ( C )。 、 (A)时间久而失效 (B)二次击穿(C)静电击穿 (D)饱和75在斩波器中,采用电力场效应管可以( A )。 (A)提高斩波频率 (B)降低斩波频率(C)提高功耗 (D)降低斩波效率7
19、6在斩波器中,采用电力场效应管可以( B )。 (A)增加低频谐波分量 (B)减少低频谐波分量 (C)增加输出功率(D)降低输出频率77电力晶体管GTR有( B )个PN结。 (A)l (B)2 (C)3 (D)478在电力电子装置中,电力晶体管一般工作在( D )状态。 (A)放大 (B)截止 (C)饱和 (D)开关79电力晶体管是(A )控制型器件。(A)电流 (B)电压 (C)功率 (D)频率80以电力晶体管组成的逆变器适于(C )容量的场合。 (A)特大(B)大 (C)中(D)小81逆变器中的电力晶体管上作在( D )状态。(A)饱和 (B)截止 (C)放大 (D)开关82斩波器中的电
20、力晶体管,工作在( C )状态。(A)放大 (B)截止 (C)开关 (I)饱和83电力晶体管( B )电路。 (A)必须有专门的强迫换流 (B)不必有专门的强迫换流(C)必须有专门的强迫换压 (D)必须有专门的强迫换阻84绝缘栅双极晶体管属于( A )控制元件。 (A)电压 (B)电流 (C)功率 (D)频率85要使绝缘栅双极晶体管导通,应( A )。 (A)在栅极加正电压 (B)在集电极加正电压 (C)在栅极加负电压 (D)在集电极加负电压86绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由( C )来控制。 (A)栅极电流 (B)发射极电流 (C)栅极电压 (D)发射极电压87逆变电路输出频率较高时,电路
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