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1、功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用，具有很高的战略地位，下面我们从一张图看功率器件的全貌：功率分立器件功率器件功率二极管双极型晶体管BJT、GTR功率晶体管1.晶闸管：SCR、GTO、IGCT等功率MC)SFET绝缘栅双极型1.晶体管IGBT功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型、半控型及不可;或按驱动电路信号性质分为电压驱动型、电流驱动型等划分类别电流驱动型等划分类别电流驱动型等划分类别。分类方式I类型具体功率半导体器件*SS!SCR对电信号可控程度仝搏!)GTOGTR,MOSFETIGBTT三S三PowerDiode电压比gIGBTMOSFETSITH驱动信学性

2、质nJC3n电硒动BSCRGTO.GTR有效信号波形脉冷总发型SCR.GTO电子投前盟GTRMOSFETIGBT双极盘瞰PowerDiode.SCR.GTO.GTRBSITBJT我流电子参与到点情况MSMMOSFETSIT舞合型联Mc.IGBTSithwigct不同功率半导体器件，其承受电压、电流容量、阻抗能力、体积大小等特性也会不同，实际使用中，需要根据不同领域、不同需求来选用合适的器件。半导体行业从诞生至今，先后经历了三代材料的变更程，截至目前，功率半导体器件领域仍主要采用以Si为代表的第一半导体材料。半导体材料带隙(eV)馆点(K)主要应用褚Ge1.11221低压、低频、中功率鼻体用Tt

3、半导体材料HSi0.71687S,光电探测器第二代半导体材料碑化密GaAS1.41511微波、毫米波器件、发光器件碳化硅SiC3.052826氮化像GaN3.419731.高温、高频、抗辐射、第三代W料激化铝AIN6.2247。大功窣器件2一三缰娃拈在一肉金刚石C5.53800管、半导体激光器筑化锌ZnO3.372248汇总下半控型和全控型功率器件的特性器件类型SCR(晶闸管)GTR(晶体管)MOSIGBT控制类型脉冲触发电流控制电压控制电压控制自关断性换向关断自关断器件自关断器件自关断器件工作频率lkhz30khz20khz-MnN40khz驱动功率小大小小开关损耗大大小大导通损耗小小大小电

4、压电流等级最大大最小较大典型应用场合中频感应加热UPS变频器开关电源UPS变频器价格最低较低处于中间最贵电导调制效应有有无有认识MOSFETMOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID连续漏电流，RDS（on）导通电阻，Ciss输入电容（结电容），品质因数Fe）M=ROn*Qg等。（2）根据不同的工艺又分为TrenchM0S：沟槽型MOS,主要低压领域100V内；SGT（SplitGate）M0S:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内；SJM0S：超结MOS,主要在高压领域600-800V

5、；在开关电源中，如漏极开路电路,漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。从市场份额看，MOSFET几乎都集中在国际大厂手中，其中英飞凌2015年收购了IR（美国国际整流器公司）成为行业龙头，安森美也在2016年9月完成对仙童半导体的收购后，市占率跃升至第二,然后销售排名分别是瑞萨、东芝、万国、ST、威世、安世、美格纳等等；与活跃于中国大陆的国际厂商相比，国产企业优势不明显，但这不能说国产没有机会，中国大陆是世界上产业链最齐全的经济活跃区，在功率半导体领域

6、活跃着一批本土制造企业，目前已基本完成产业链布局，且处于快速发展中；特别是MOSFET领域，国产在中低压领域替换进口品牌潜力最大，且部分国产、如士兰、华润微（中航）、吉林华微等都在努力进入世界排名;MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(ThrOUghHOIe)和表面贴装式(SUrfaCeMount)o插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(T0)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。双列播式封装DIP)Il体管外形封装(TO)插针网格阵列封装(PGA)插入式封

7、装表面贴装则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SoT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。务Il体管外形小外形W小外形豺装方暨舄平式封装炭封有引线芯片我体(D-PAK)(SOT)(SOP)(QFP)(PLCC)表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。1、双列直插式封装(DIP)DlP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDlP(ShrinkDIP),即紧缩

8、双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接,和主板有很好的兼容性。但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差；同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DlP封装逐渐退出了历史舞台。2、晶体管外形封装(TO)3、属于早期的封装规格，例如T0-3P、T0-247、TO-92、TO-92L、T0-220、TO-220F、T0-251

9、等都是插入式封装设计。T0-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点。TO-220/220F：T0-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫;T0-220带金属片与中间脚相连，装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用。T0-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。T0-92：该封装只有低压MoS管(电流IoA以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，目的是降低成本。近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴

10、装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252(又称之为D-PAK)和T0-263(D2PAK)就是表面贴装封装。TO247TO220SuperTO-220/247TO-263/D2PAKTO封装产品外观T0252/D-PAK是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装,是目前主流封装之一。采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(三)。其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D),直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热;所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极(D)焊盘较大。其封装规范如下:

11、UnitmmT0-252/D-PAK封装尺寸规格T0-263是T0-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。除了D2PAK(T0-263AB)之外，还包括T0263-2、T0263-3、T0263-5、T0263-7等样式，与TO-263为从属关系，主要是引出脚数量和距离不同。0 205(5 20)0 189(4 80)0.370(9.40)0.354(9.00)0 402(10.20)0 386(9 8010 039SOP-20、S0P-28等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多

12、数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，简写为So(SnIalIOut-Line)0SOP-8封装尺寸So-8为PHlLIP公司率先开发，采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。后逐渐派生出TS0P(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。TSOP-6TTSOP-8常用于MOS管的SoP派生规格6、方形扁平式封装(QFP)QFP(PlasticQuadFlatPaCkage)封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，

13、其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线；适合高频使用；操作方便,可靠性高；芯片面积与封装面积之间的比值较小。与PGA封装方式一样，该封装方式将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导出，制约了MoSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求;另外，此类封装方式是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。因此，QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSl电路采用，也适于VTR信号处理、音响信号处理等模

14、拟LSl电路产品封装。7、四边无引线扁平封装(QFN)QFN(QuadFlatNon-IeadedPaCkage)封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点;其中陶瓷QFN也称为LCC(LeadlessChipCarriers),采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC.P-LCC等。是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。QFN主要用于集成电路封装，MOSFET不会采用。不过因InteI提出整合驱动与MOSFET方案,而推出了采用QFN-56封装（“56”指芯片背面有56个连接Pin）的D

15、rMOSo需要说明的是，QFN封装与超薄小外形封装（TSSOP）具有相同的外引线配置,而其尺寸却比TSSoP的小62%。根据QFN建模数据，其热性能比TSSoP封装提高T55%,电性能（电感和电容）比TSSOP封装分别提高了60%和30%o最大的缺点则是返修难度高。采用QFN-56封装的DrMOS传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流

16、，这就是整合驱动IC的DrMOS。瑞承第2代DrMoS Gen. DrMOS瑞萨第2代DrMOS经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低;借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。另外，采用的深沟道硅(trenchsilicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗;并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS(AUtoPhaseSwitching)。除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。8、塑封

17、有引线芯片载体(PLCC)PLCC(PlasticQuadFlatPaCkage)外形呈正方形，尺寸比DIP封装小得多，有32个引脚，四周都有管脚，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。其引脚中心距L27mm,引脚数从18到84不等，J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。PLCC封装是比较常见，用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路，主板BIOS常采用的这种封装形式，不过目前在MOS管中较少见。PLCC封装样式主流企业的封装与改进由于CPU的低电压、大电流的发展趋势

18、，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。1、瑞萨(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-1封装WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET,减小布线电感。.a,cA,eea特占模格与S8祷音WPAK“8”讨器，叫80.8mm,比SO80少54%低热用，C

19、hc=5CWPowerFLATDirectFET.PoIarPAK等，其中POwerS0-8正是So-8的改进版，此外还有PowerSO-10PoWerS0-20、TO-220FP、H2PAK-2等封装。Power SO-8 封装意法半导体POWerS0-8封装6飞兆(FairChild)半导体POWer56封装Power56是FariChild的专用称呼，正式名称为DFN56o其封装面积跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封装又节约元件净空高度，底部ThermaI-Pad设计降低了热阻，因此很多功率器件厂商都部署了DFN560Power 56 封装FairchildPower56封装7、国际

20、整流器(IR)DireCtFET封装DireCtFET能在SO-8或更小占位面积上，提供高效的上部散热，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DireCtFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。DireetFET封装属于反装型，漏极(D)的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。DirectFET封装极大地改善了散热，并且占用空间更小，散热良好。DirectFET封装国际整流器DireCtFET封装涔件编号VdssIoV下的最高导通电阻M（八）Qg(nc)品质级别

21、1RF7739L1TRPBF401.0m270220工业级IRF7749L1TRPBF601.5m200200工业级IRF7748L1TRPBF602.2m138148工业级IRF7759L2TRPBF752.3m160200工业级IRF7769L1TRPBF1003.5m124200工业级IRF7779L2TRPBF150IIm6797工业级IRDirectFET封装系列部分产品规格内部封装改进方向除了外部封装，基于电子制造对MOS管的需求的变化，内部封装技术也在不断得到改进，这主要从三个方面进行：改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。1、封装内部的互连技术TO、D-

22、PAKSOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术，当CPlJ或GPU供电发展到低电压、大电流时代，焊线式的S0-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。S0-8内部封装结构这四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度的提高，MOSFET厂商在采用SO-8尺寸规格时，同步对焊线互连形式进行了改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，以降低封装电阻、电感和热阻。标准型SO8无导线SO8标准型S0-8与无导线S0-8封装对比国际整流器(IR)的改进技术称之为CopperStrap;威世(ViShay)称之为PowerCOnneet技术；飞兆半导体则叫做Wire

23、IeSSPackage0新技术采用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%,源极至封装的电阻降低了61%。仍蹲砧台国际整流器的COPPer StraP技术威世的PowerConnect技术飞兆半导体的WirlessPackage技术2、增加漏极散热板标准的S0-8封装采用塑料将芯片包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。而底部紧贴PCB的塑料外壳是热的不良导体，故而影响了漏极的散热。技术改进就是要除去引线框下方的塑封化合物，方法是让引线框金属结构直接或加一层金属板与PCB接触，并焊接到PCB焊盘上，这样就提供了更多的散热接触面积，把热量从芯片上带走；同时也可以制成更薄的器件。标准S0-8

24、与WtPowrPAKC威世Power-PAK技术威世的Power-PAK法意半导体的PowerSO-8、安美森半导体的S0-8FlatLead瑞萨的WPAKLFPAK飞兆半导体的Power56和BottomlessPackage都采用了此散热技术。3、改变散热的热传导方向Power-PAK的封装虽然显著减小了芯片到PCB的热阻，但当电流需求继续增大时，PCB同时会出现热饱和现象。所以散热技术的进一步改进就是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。瑞萨的LFPAKi封装瑞萨LFPAK-i封装瑞萨的LFPAK-I封装、国际整流器的DirectFET封装均是这种散热技术的典型代表。未来，

25、随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展，MoS管的外形及内部封装结构也会随之改变，以更好适应制造业的发展需求。另外，为降低电子制造商的选用门槛，MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显，产品将从性能、成本等多维度协调发展。而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一，不同的电子产品有不同的电性要求,不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选用中，应在大原则下，根据实际需求情况来做抉择。有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度，如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6DFN3*3的封装;在有些ACDC的电源中，使用超薄设计或由于外壳的限制，

26、适于装配T0220封装的功率MOS管，此时引脚可直接插到根部，而不适于使用T0247封装的产品；也有些超薄设计需要将器件管脚折弯平放，这会加大MOS管选用的复杂度。如何选取MOSFET一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页，因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上，MoSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标，这些指标在数据表上是如何表述的，以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样，MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件，

27、所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指标是“最大”或是“典型”值，因为有些数据表并没有说清楚。电压等级确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”，这是在栅极短路到源极，漏极电流在250A情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25C下的绝对最高电压”，但是一定要记住，这个绝对电压与温度有关，而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白，最高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如，如果你在电压30V并带有100mW5ns尖峰的电源里使用30V器件，电压就会超过器件的

28、绝对最高限值，器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下，MOSFET的可靠性没法得到保证。在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。例如，一些60OV电压等级的N沟道MoSFET的温度系数是正的，在接近最高结温时，温度系数会让这些MOSFET变得象650VMOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%20%的降额因子。在一些设计里，考虑到实际的击穿电压比25下的额定数值要高会在实际设计中增加相应的有用设计裕量，对设计是很有利的。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的最大RDS(on)条件下，能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通

29、电阻总是与VGS水平关联在一起的原因，而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是，你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的电压，来使MOSFET完全导通。例如，用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通，你需要用在VGS=2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。导通电阻，栅极电荷，以及优值系数MOSFET的导通电阻总是在一个或多个栅源电压条件下确定的。最大RDS(on)限值可以比典型数值高20%50%.RDS(On)最大限值通常指的25C结温下的数值,而在更高的温度下，RDS(On)可以增加30%150%,如图1所示。由于RDS(On)随温度而变，而且

30、不能保证最小的电阻值，根据RDS(On)来检测电流不是很准确的方法。图1RDS(On)在最高工作温度的30%150%这个范围内随温度增加而增加导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中，Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准，因为Qg会影响开关损耗。这些损耗有两个方面影响：一个是影响MOSFET导通和关闭的转换时间；另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是，Qg取决于栅源电压，即使用更低的VgS可以减少开关损耗。作为一种快速比较准备用在开关应用里MoSFET的方式，设计者经常使用一个单数公式,公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开

31、关损耗的Qg：RDS(on)xQgo这个“优值系数”(FoM)总结了器件的性能，可以用典型值或最大值来比较MOSFET0要保证在器件中进行准确的比较，你需要确定用于RDS(On)和Qg的是相同的VGS,在公示里典型值和最大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能，但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得最好的比较结果，在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。额定电流和功率耗散基于不同的测试条件，大多数MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。你要仔细看看数据表，搞清楚这个额定值是在指定的外壳温度下(比如TC=25),或是环境温度仕匕如TA

32、=25oC)o这些数值当中哪些是最相关将取决于器件的特性和应用(见图2)。NoImBdonTc25C.ban11*FR4hrwMaI0PQ9图2全部绝对最大电流和功率数值都是真实的数据对于用在手持设备里的小型表面贴装器件，关联度最高的电流等级可能是在70环境温度下的电流，对于有散热片和强制风冷的大型设备，在TA=25C下的电流等级可能更接近实际情况。对于某些器件来说，管芯在其最高结温下能够处理的电流要高于封装所限定的电流水平，在一些数据表，这种“管芯限定”的电流等级是对“封装限定”电流等级的额外补充信息，可以让你了解管芯的鲁棒性。对于连续的功率耗散也要考虑类似的情况，功耗耗散不仅取决于温度，而

33、且取决于导通时间。设想一个器件在TA=70C情况下，以PD=4W连续工作10秒钟。构成“连续”时间周期的因素会根据MoSFET封装而变化，所以你要使用数据表里的标准化热瞬态阻抗图，看经过10秒、100秒或10分钟后的功率耗散是什么样的。如图3所示，这个专用器件经过10秒脉冲后的热阻系数大约是0.33,这意味着经过大约10分钟后，一旦封装达到热饱和，器件的散热能力只有L33W而不是4W,尽管在良好冷却的情况下器件的散热能力可以达到2W左右。图3MOSFET在施加功率脉冲情况下的热阻实际上，我们可以把MOSFET选型分成四个步骤。第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟

34、道还是P沟道MOSFETo在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MoSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MoSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失

35、效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为2030V85220VAC应用为450600V0第二步：确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计

36、人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MoSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MoSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由IIoad2XRDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功

37、率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种

38、试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SuperFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SUPerFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SUPerFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到60OV的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。第三步：确定热要求选择MoSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系