EMC工程师电磁兼容考题附答案.docx

EMC工程师电磁兼容考题附答案1 .下列哪一个是欧盟强制认证标志（D）A、CCCB.FCCC.KCCD.CE2 .下列哪一项不属于EMI（C）A、CEB.CTEC、CSD.RE3 .EMC控制技术主要有滤波、屏蔽和（A）A、接地反隔离C、降唳D、铺地4 .如果要降低电容谐振点的阻抗，可以采取（八）A、两个相同容值的电容并联B、两个不同容值的电容并联U两个相同容值的电容串联D、两个不同容值的电容并联5 .下面哪个是CE标准（八）A、EN55032B.EN61000-6-3C.EN61000-4-3D,EN61000-3-36 .关于峰值检波、准峰值检波、平均值检波，测量时间最短的是（A）A、峰值检波B、准峰值检波C、平均值检波D、峰值检波与准峰值检波两种7 .SURGE1.V3等级,线对地测试电压是多少kV?（C）A、2B、IU4D、0.58 .ESD测试中，对金属部件进行铮电放电，采用哪种枪头？（B）A、圆形氏尖形C、椭圆形D、正方形9 .一般企业EMC标准中，对EMI的余S1.要求是多少dB?（八）A,6B、3C、OD.210 .EMC包含哪两个部分？（C）A,CE&REB、CS&RSC、EMI&EMSD,ESD&EFT/B11 .电磁干扰的三要素是（C）A、传导干扰辐射干扰空间干扰B、EM正MSEMCC、干扰源耦合路径敏感设备D、干扰源、禳合路径、被干扰设备12 .GB4343.2标准中对于浪涌试验相位角要求的变化是（D）A、正负脉冲分别0*90*180270电、正负脉冲分别90*270U正负脉冲分别080*D、正脉冲90负脉冲270,13 .信息技术设缶的EMC发射试验依据标准为（C）A,GB17443B,GB4824CxGB9254D.GB4343.114 .照明器具和灯具的EMC发射试验依据标准为（A）A,GB17443B,GB4824C、GB9254D、GB4343.115 .家用电器和电动工具的EMC发射试验依据标准为（D）A,GB17443B,GB4824C、GB9254D.GB4343.116 .工科医（ISM）射频设备的EMC发射试验依据标准为（B）A,GB17443B,GB4824C.GB9254D、GB4343.117 .导致地线骚扰问题的根本原因是（A）A、1蛾阻抗B、负载阻抗C、辐射骚扰D、传导骤扰18 .电源线淤波器的作用是抑制（C）沿着电源线传播.A,辐射骚扰B、电磁波U传导骤扰电流D、互感19.IEC61000-4-2是什么级别的标准？（八）A,基础标准氏通用标准U产品标准D、系统标准20 .GB9254j三什么级别的标准（C）A,基础标准B、通用标准&产品标准D、系统标准21 .全电波暗室是模拟（A）测试环境？A、自由空间B、开阔场C、屏蔽室D、对流层22 .军用级别的电子产品检测大多数检波方法是（C）A、平均值检波氏准峰值检波C、峰值检波D、有效值检波23 .自由空间的波阻抗是（B）A,667ohmBx377ohmC,50ohmD.266ohm24、进行电磁兼容测试前一般要先对电磁环境电平进行测试，要求所测的环境电平比要求的限值要低（D）A,3dBB、IOdB.C、20dBD.6dB25 .以下天线中，适应测试频率最高的为（D）A、偶极子天线B,对数周期天线C、双推天线D、喇叭天线26 .以下标准中，优先采用的是（A）A、专用产品标准B、产品标准C、通用标准D、基础标准27.IEC61000-6-1是什么级别的标准？(B)A,基础标准B、通用标准C、产品标准D、系统标准28 .横电波小室(C)可以用来代替以下哪种天线?A、对数周期天线B、双锥天线C、平板电线D、复合天线29 .以下测试环境中，不带电磁吸波材料的是(A)A,屏蔽室B、半电波暗室&全电波暗室D、横电波小室30 .天线藕射的电磁波在远场的强度与距离D的关系是(A)A、与D成反比B、与D的2倍成反比C、与D的3倍成反比Dx强度与距离没关系31 .根据电磁干扰的机理，以下措施中可达到电磁兼容状态的是(D)A,抑制干扰源B、降低设备敏感度C、切断噪声耦合路径D、以上三项都可以32 .一台设备，原来的电磁辐射发射强度是300,加上屏蔽体后，指射发射降为3,那这个屏蔽体的屏蔽效能是(D)A,100dBB,100OdBC.IOdBDx40dB33 .通用标准将特定的电磁环境分为两类:一类是居住、商业和轻工业环境，另一类是（八）A,工业环境B、恶劣环境B、民用环境D、军用环境34 .关于EMC描述正确的是(A)A、设备在共同的电磁环境中能一起执行各自功能的共存状态，即该设备不会由于受至处于同一电磁环境中其它设备的电磁发射导致不允许的降级；也不会使同一电磁环境中其它设备因受其电磁发射而导致不允许的降级.B、设备易露在电磁环境下所呈现的不希望有的响应程度.即设备对周围电磁环境敏感程度的度量.电磁敏感意味着电磁环境已经造成设备性能的降低。C、电磁暇扰导致电子设备相互影响，并引起不良后果的一种现象。D、当引起设备性能降级时，对从传导方式引入的骚扰信号电流或电压的度量.35 .以下不属于EMS范畸的是（D）A,ESDB.SURGEC,RSD、RE36 .VDE是（D）的EMC标准化组织和标准制订单位.A、欧盟B、美国C、非洲D、德国37.30MHZ-100OMHZ频段范围辐射发射超标是以（B）的值超出标准规定的限值为判定依据的.A、峰值B、准峰值C、平均值D、峰值与平均值38 .下列不属于传导干扰耦合方式的是（D）A,共阻抗耦合B,容性耦合C,感性耦合D、近场耦合39 .下列不是静电放电抗扰度测试标准规定的内容（D）A,放电的第一个峰值电流B、在60ns时的电流B,在30ns时的电流D、在90ns时的电流40 .静电放电抗扰度试验标准中规定静电发生器的储能电容大小为（B）.A,330pF±10%B、150pF±10%C、150pF±5%D、330pF±10%41 .静电放电抗扰度试验采用（A）标准.A,IEC61000-4-2BxIEC61000-4-4B、IEC61000-4-3D.IEC61000-4-542 .辐射发射RE测试时规定待测物EUT离地距离为（D）A,1.5mBs40cmC.60CmD、80cm43 .某产品在EMS试验中性能暂时降低,功能不丧失,试验后能自行恢宸，按照标准判定为（B）A,A级B、B级C、C级D、D级44 .在IEC61000-4-2中，耦合板与参考接地平面之间使用每蜻带有一（D）电阳的电缆进行连接IIA,47OhmB、470OhmC、47KohmDx470Kohm45 .理想的电磁屏蔽材料应该有良好的导电性和导磁性，下述材料作为屏蔽材料时，其电磁屏蔽效能最好的是（D）A、钢B、铜U合金D、硅钢46 .感应近区场的特点（B）A,电场和磁场都和距离成反比B,在传播方向上不是横电磁场，在传播方向上有场分量C、波阻抗是常数D、电场和磁场都和距淘成正比47 .孔缝的泄漏程度在面积相同的情况下（A）A、缝隙的泄漏比孔洞严重B、孔洞的泄漏比缝隙的严重C、一样严重D、一样不严重48 .3W原则指的是（八）A,相临导线中心距离满足3倍线宽B、导线到导线边缘距离满足3倍线宽C、导线边缘到导线中心距离满足3倍线宽D、差分信号与电源线保持3倍线宽。49 .关于芯片电源引脚退耦电容的放置正确的是（B）A、容量大的电容靠近芯片引脚放置B、容量小的电容靠近芯片引脚放置C、容量大的电容要远离芯片引脚放置D、容量小的电容要远离芯片引脚放置50 .铁氧体磁珠可以等效分为（D）A、电阻B、电感C、电容+电感D、电阻+电感51 .要抑制高频共模噪声，下面说法正确的是（B）A、增加共模电感绕制匝数B、减少共模电感绕制匝数C、使用分绕方式的共模电感D、使用非晶材质共模电感52.在下列开孔中，哪种开孔形式的屏蔽效果最好（A）53 .在下列电容中，（八）的高频特性最好A,贴片电容B、瓷片电容C、薄电容D、电解电容54 .关于以下高频线缆屏蔽层的端接方法，哪种端接方式效果最好（C）55 .关于差分对PCB布线，下面说法不正确的是（D）A、等长布线B、紧耦布线B、阻抗控制D、建议跨分割布线56 .滴波器是常用的电磁干扰抑制元件若用ZS表示源阳抗Z1.表示负载阻抗，11型滤波器适合于颍种电路（C）A,ZS低，Z1.低B、ZS高，Z1.低C、ZS高，Z1.高D、ZS低，Z1.高57 .以下瞬态干扰中，噪声频率最丰富，第一个峰值电流上升时间最短的是（B）A、电快速脉冲群B、静电放电U雷击浪涌D、谐波电流58 .强磁场采用多层屏蔽技术的作用是（D）A,防止磁饱和B、更好的屏蔽性C、防止强静电D、产生更多的涡流损耗59 .EMI波波器分为低通滴波器、高通/波器、带通注波器、带阻谑波器，信号线噪声源波通常使用（C）A,带通滤波器B、带阻滤波器C、低通遮波器D、高通滤波器60 .PCB板中芯片的VCC管脚和地线之间一般需要放置去耦电容主要作取D）A、提供稳定的直流电源氏滤除芯片的射频噪声C、提供高频噪声的退耦D、提供稳定的直流电源，滤除芯片的射频噪声B、屏蔽层纽电或融I壳卬制板61 .PCB板布线时,为减少线间的信号寄生耦合，相临两面导线应尽量避免（D）A、相互垂直B、斜交U直角布线D、相互平行62 .在PCB布线时，层量（八）信号线与地线围成的面积，是增强电路抑制噪声能力的“武林秘籍”之一.A、缩小反控制C、增加D、不确定二、多项选择题1 .减少辐射干扰的措施有（ABCD）A、辐射屏蔽氏极化隔离U距离隔离D、吸波材料2 .电磁兼容改善方法有（ABCD）A、屏蔽氏滤波U接地D、软件辅助设计3 .传导干施S合的主要方式有（ABC）A、共阻抗耦合B、容性耦合U感性耦合D、近场耦合4 .共阻抗耦合的干扰抑制方法有（ABCD）A、采用隔离设计B、降低耦合阻抗C、电路去耦D、采用分区设计5 .下列属于EM1.测试项目的有（ABC）A,CEB、RECxHarmonicD.ESD6 .电磁干扰的途径有（AB）A、传导骚扰B、辐射骐扰C、电场骡扰D、磁场蟀扰7 .辐射干扰的传输性质有（AB）A,近场耦合B、远场耦合C、电场璃合D、磁场耦合8 .传导干扰的传输性质有（ABC）A,电阻耦合B、电容耦合C、电感藕合D、辐射耦合7 .常见的电阻耦合有哪些？（ABC）A、公共地线阻抗懒合B、公共电源线阻抗懒合C、公共线路阻抗藕合D、公共信号布线阻抗耦合8 .测量骚扰功率时，功率吸收钳后加6dB衰减器的原因是（AD）A,降低端口的VSWR,阻抗匹配B、去除外部低频强扰B,去除外部高频骚扰D、降低接收信号，保护接收机9 .电子电气设备接地方式有（ABCD）A、单点接地B、多点接地C、混合接地D、浮地10 .电容作为谑波元件或去耦、旁路，下列属于必须考虑的基本参数（ABCD）A,ESRB.ES1.C,容量、D、封装11 .以下可用于抑制消除共模噪声耦合的是（ACD）A,变压器隔离B、不平衡电路U光纤隔离D、共模电感12 .人工电源网络（1.1.SN）的主要作用是（ABCD）A,为50HZ市电提供通路B、隔离EUT产生的电磁骚扰进入电网C、将EUT产生的电磁骚扰桐合到EMI测量接收机D、提供稳定的阻抗网络13 .关于连接器选型，下面说法正确的是（ABD）A、理想的情况下，每个信号针都有相应的地引脚伴随.B,关键信号针要通过地针与其它信号针隔离。C、信号针、电源针、地针的位置与数量，与辐射无关.D、推荐使用地针与信号针交错排列的连接器14 .关于屏蔽方案的选择，下列说法正确的是（ABC）A、应采取综合的方案，综合选用不同级别的屏蔽方案B、要求特别高的产品，可采用多级屏蔽的方式C、模块屏蔽容易实现、成本低、推荐使用D、系统级屏蔽方案比较适合进出线缆十分多的产品15 .关于过孔，以下说法正确的是（ABCD）A,时t惟号上避免使用过孔氏高速差分信号避免使用过孔C、过孔在高频下有寄生特性D、穿越地层的过孔避免密集16 .铁氧体磁环的选择原则是，在使用空间允许的条件下选择（ABC）A,尽量长B,尽量厚C、内孔尽量小的D,以上都不对17 .传导骚扰可以通过（ABCD）等耦合A、电源线B、信号线C、互联线D、接地导体18 .藕射骚扰通常的主要耦合路径有（ABCD）A,天线耦合B、导线感应耦合C、闭合回路耦合D、孔缝耦合19 .电磁藕容学是研究在（BCD）条件下，各种用电设备或系统可以共存，并不互相引起性能降低的一门学科。A、郑艮的空间B、有限的空间C、有限的时间D、有限的频谱资源20 .静电放电需满足三个要素，属于静电放电三要素的是（ABC）A,一定电荷的积累B、放电路径&敏感元件6耦合方式21 .静电产生的主要途径有（ABCD）A、摩擦起电员初童分离C、感应起电D、剥离起电22 .下列关于天线阻抗分析错误的是（CD）A,电场天线时应高阻B,磁场天线对应低阻C、电场天线与磁场天线都是高阻D、电场天线与磁场天线都是低阻23 .下列关于天线增益的描述正确的是（A、B、C）A、天线增益是衡量天线朝f特定方向收发信号的能力，它是选择基站天线重要的参数之一。B,天线的增益由振子叠加而产生，增益越高天线长度越长。天线增益越高，方向性越好，能量越集中，波瓣越窄。C、天线在某一规定方向上的辐射功率通量密度与参考天线（通常采用理想点源）在相同输入功率时最大辐射功率通量密度的比值。D、天线增益不影响端距渤指标.24 .关于天线按波长分类正确的是（A、B、C、D）A、长波天线B、短波天线C、微波天线D、超短波天线25 .下列关于差分信号错误的说法有（A、B）A.差分信号传输是由正极性信号发出，到达接收端后，经负极性信号返回，信号不需要经过参考平面返回到源端。B、差分信号抗干扰能力强的原因是外界耦合到一对差分信号的干扰大4厢等,极性相反,会互相抵消，接收端接收不到干扰信号.C、差分信号的优点是抗干扰能力强，磁场互相施肖，EM性能好.D、差分信号的缺点是需要等长、紧耦、阻抗连续。26 .下列关于差分信号回流路径设计要求正确的说法是（A.B、C）A,回流路径可以选择地平面B、回流路径可以选择的不同电源平面C、回流路径可以是地平面也可以是电源平面D、回流路径可以同时选择不同电源平面27 .下列关于差分信号换层处理的正确做法是（A、B）A、差分信号尽可能选择不换层B、差分信号换层时尽可能保持参考平面不改变C、差分信号参考平面由电源层换到地平面层更佳D、差分信号换层时必须增加伴随地过孔28 .解决串扰的主要方法有（B、C、D）A、减小线间距氏减小平行长度C、减小驱动信号电流电压D、增加地线屏蔽29 .阻抗的影响因素有（B、C、D）A、线长B、线宽C、线距D、介质30 .下列关于干扰源按发生频率分类正确的是（A、B、UD）A,突发干扰B、脉冲干扰。*周期性干扰D、瞬时干扰.30 .下列关于时域分折描述正确的是（A、B、C）A,可以通过测量电压、电流波形B、可以分析波形幅度、电平C、可以分析波形失真、过冲、振铃D、不需要分析寄生振荡31 .下列关于频域分析描述正确的是（A,B、C）A、可以使用频谱仪尖头探针&环形探针B、分析频谱特征、倍频关系C、不能够从频谱对比结果判断改善效果.D、分析谐波特性32 .宽带干扰通常是（A、B、&D）产生的A,DC-DCB.TCONC.AC开关电源D、数据信号33 .关于干扰源阳抗描述正确的是（B、C）A,电流源对应高阻抗B、电流源对应低阻抗C、电压源对应高阻抗D、电压源对应低阻抗34 .下列是窄带干扰的抑制方法的有（A、B、UD）A、屏蔽B、接地C、滤波D、软件35 .下列关于主芯片散热辐射解决方案正确的是（A、B、C、D）A,散热片与主芯片间距控制氏散热片形状修改U散热片材质D、散热片接地方式36 .下列通过PCB设计解决窄带干扰的措施正确的是（A、B、UD）A、信号布线长度控制B、串扰控制U阻抗控制D、滤波器位苣37 .关于宽带干扰的抑制方法描述错误的是（B、C、D）A,展频技术的应用反器件选型C、PCB环路面积控制D、谑波器设计与应用三、填空题1.火线、零线与地线之间的干扰称为【共模】干扰，火线与火线或火线与零线之间的干扰称为【差模】干扰.2 .电磁兼容问迤的主要解决方法包括【屏蔽】，【接地】，【滋波】.3 .电磁兼容三要素包括【电磁骚扰源】，【耦合路径】，【敏感设笛】。4 .辐射干扰源数学模型的基本形式包括【电流源】，【电压源】或辐射干扰源可归纳为【电偶极子】和【磁偶极子】。5 .屏蔽效能SE分别用功率密度、电场强度和磁场强度来描述应为101.ogP1.P2,201.og1.U2,2O1.ogH1.H2.6 .反射滤波设计时，应使滤波器在阻带范围,其并联阻抗应【很小】而串联阻抗则应【很大】.7 .电容性干扰的干扰量是【变化的电场】；电矮性干扰在干扰源和接受体之间存在【交变的磁通】；电路性干扰是经【公共阻抗】耦合产生的.8 .随着频率的【提高】，孔缝泄露越来越严重，金属网对【微波或超高频】频段不具备屏蔽效能。9 .静电屏蔽必须具备完整的【屏蔽导体】和良好的【接地】10 .电磁屏蔽的材料特性主要由它的【电导率】和【滋导率】所决定.I1.滤波器按工作原理分为【反射式谑波器】和【吸收式源波器】，其中一种是有耗能元件组成如【铁氧体】材料组成。12 .国际电磁兼容技术标准体系分为【基础标准】，【通用标准】，【产品标准】和【系统间电磁兼容标准】4类。13 .分析传导干扰通道低频特性多采用【集总】参数电路模型，而分析高频特性则采用【分布】参数电路模型。14 .低频磁场屏蔽主要是利用【高导磁】材料对干扰磁场进行【分路】，高频磁场屏蔽则采用【低电阳抗】材料在屏蔽体表面产生【涡流】的屏蔽目的。15 .共模扼流圈由两个【硬数】相同和【绕向】相同的绕组组成，对共模干扰呈现高阻抗作用.16 .按照频率特性进行分类，常见的诲皮器包括【低通遮波器】，【高通滤波器】，【带通滤波器】，【带阻滤波器】4类.17 .设U1.和U2分别是接入滤波器前后信号源在同一负载阻抗上建立的电压，则插入损耗可定义为201.og(U2U1.)18 .两导线的干扰电流振幅相近、相位相同的干扰称为【共模干扰】，干扰电流振幅相等、相位相反的称为【差模干扰】。19 .双绞线多用于【高频】工作范围，在单位长度线长中互绞圈数【越多】，消除噪声效果越好，在额定互绞圈数中，频率【越高】屏蔽效果越好。20 .减小电容耦合干扰电压的有效方法有三种：【降低频率】【降低耦合电容】【降低噪声源电压】21 .金属板的屏蔽效能SE(dB)包括【吸收损耗】【反射损耗】【多次反射损耗】.22 .如果近场中源是电场骚扰源，干扰源具有【高电压】，【小电流】的特性。23 .抑制瞬态强扰的常用器件有【压敏电阻】【TVS管】【气体放电管】。24 .通常模拟电路工作与低频状态，对于这样的敏感电路，【单点接地】是最好的接地方式；但对于高速数字电路或高频模拟电路，高频电流是由接地噪声电压产生,宜优先选择【多点接地】方式。25 .辐射干扰思旨【通过空间传播的电磁干扰】，传导干扰国旨【通过传输线传播的电磁干扰】。26 .抗扰度是指【设氤装置或系统面临电磁干扰不降低运行性能的能力】27 .当高频信号通过铁氧体磁珠时，电磁能量以【热】的形式耗散掉。28 .铁氧体磁环的选择原则是，在使用空间允许的条件下【选择尽量长，尽量厚和内孑限量小的】.29 .电场屏蔽的实质是在【保证良好接地】的条件下，将干扰源发生的【电力线】终止于由良导体制成的屏蔽体，切断了干扰源与受感应之间的电力线交连.30 .金属盒的高频磁场屏蔽效能与【高频磁场在盒体上产生的涡流大小】有关.31 .磁屏蔽是利用由【高导磁材料】制成的磁屏蔽体，提供低磁阻的磁通路使得【大部分磁通】在磁屏蔽体上的分流，来达到屏蔽的目的。32 .计算和分析屏蔽效能的方法主要有【解析法】、【数值分析法】和【近似法】.33 .辐射骚扰通常的4种主要耦合路径为【天线耦合】【导线感应耦合】【闭合回路耦合】【孔缝耦合】。34 .辐射耦合是以【电磁场】的形式将电磁能量从骚扰源经空间传输到敏感设备.35 .在实际使用中的金属屏蔽体都要求【接地】，因为这样可以同时屏蔽【高频磁场】和【高频电场】.36 .常见的电磁兼容认证标志，中国的是【CCC标志】，美国的是【FCC，欧洲的是CE,韩国的是【KCC】.