GB_T43612-2023碳化硅晶体材料缺陷图谱.docx

ICS29.045CCSH80中华人民共和国国家标准GB/T436122023碳化硅晶体材料缺陷图谱Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials202372-28发布2024-07-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会围范性引用文件语和定义略语化硅晶体材料缺陷是锭知陷衬底缺陷外延缺陷工艺缺陷陷图谱晶锭缺陷图谱衬底缺陷图谱,外延缺陷图谱工艺缺陷图谱文献-XX.-A刖三本文件按照GBT1.12020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的方请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料支术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位：广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司半导体有限公司。本文件主要起草人：丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、尹浩田、高伟、路亚娟、余宗静、王阳、钮应喜、晏阳、妙糠、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵涛、夏秋良、李国平。碳化硅晶体材料缺陷图谱范围本文件规定了导电型4H碳化硅（4H-SiC）晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺）的研发、生产及检测分规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的弓仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适件。GB/T14264半导体材料术语术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。晶锭缺陷ingotdefect4H-SiC晶锭在PVT法生长过程中因籽晶自身缺陷延伸、偏离化学计量比、晶锭内部应力、杂三的缺陷。衬底缺陷substratedefect4H-SiC衬底中的结晶缺陷或结构缺陷以及切、磨、抛加工后留在4HSiC衬底表面上的缺陷。外延缺陷epitaxialdefect4H-SiC外延层中的结晶缺陷以及4H-SiC外延层表面上因采用台阶流动控制外延生长方法缺陷。工艺缺陷processinginduceddefect器件制造或材料改性工艺过程中引入到4HSiC晶体中的深能级中心或非本征结晶缺陷。不完整性形貌特征。主1：表面形貌缺陷借助强光束、显微镜或专业检测设备可以观测到。主2:4H-SiC外延层典型的表面形貌缺陷包括：掉落颗粒物缺陷、三角形缺陷、胡萝卜缺陷、凹坑、梯形缺陷、聚集、外延凸起和乳凸等。不全位错partialdislocation;PD白格斯(BUrgerS)矢量不等于单位点阵矢量或其整数倍的位错。主：在4H-SiC中，不全位错构成了层错的两条终止边界。不全位错有肖克莱(ShoCkley)型和弗兰克(Frank)种，前者的BUrgerS矢量方向平行于层错面，而后者的BUrgerS矢量方向则垂直于层错面，因此，前者可滑后者不可动。略语下列缩略语适用于本文件。AFM:原子力显微镜(atomicforcemicroscope)3PD:基平面位错(basalplanedislocation)CVD:化学气相沉积(ChemiCalvapordeposition)E1.:电致发光(electroluminescence)H1.A:半环列阵(halflooparray)CP:电感耦合等离子体(inductivelycoupledplasma)MOSFET:金属一氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistorMP:微管(micropipe)D:不全位错(Partialdislocation)1.:光致发光(PhotOIUmineSCenCe)VT:物理气相传输(PhySiCalvaportransport)RIE:反应离子刻蚀(reactiveionetch)SEM:扫描电子显微镜(SCanningelectronmicroscope)SF:层错(StaCkingfault)TED:穿透刃位错(threadingedgedislocation)TSD:穿透螺位错(threadingscrewdislocation)化硅晶体材料缺陷晶锭缺陷裂纹2杂晶2.1 形貌特征在4H-SiC晶体内部形成的多晶嵌入式生长，如图3所示。2.2 产生原因在晶体生长过程中，由于包裹物或生长条件剧烈波动导致多晶成核长大，从而形成与单晶取向偏差的多晶颗粒。3边缘多晶3.1 形貌特征边缘多晶附着在4H-SiC晶体周围，与内部单晶之间存在明显的衬度交界线，如图4所示。3.2 产生原因在晶体生长过程中，温度场分布不合理造成籽晶边缘升华，导致籽晶直径减小，使得多晶在籽着而形成；或是生长初期籽晶处径向温度梯度过小，导致多晶附着在籽晶边缘的籽晶托上而形4多型4.1 形貌特征在4H-SiC晶体中，形成了6H、15R或3C等异晶型。其中，6H、15R的颜色与4H晶型存在明层状分布，一般可通过多型分界线或颜色不同来区分(6H呈翠绿色，15R呈暗黄色)，如图5注：3C与4H无明显的颜色或分界线差异，在导电型4H-SiC晶锭中不易观察。但3C在4H-SiC晶锭的表面呈现出起始点位置伴随黄色颗粒的微管簇凹坑。4.2 产生原因在晶体生长过程中，偏离了4HSiC生长的生长窗口，而产生了有利于6H、15R或3C多型生而形成；或是晶体生长表面的污染物导致的异晶型成核生长而形成。5微管(MP)5.1 形貌特征MP是一种微米级直径的物理孔洞，本质为BUrgerS矢量数倍于TSD的穿透位错，其终端延伸衬底缺陷多晶1形貌特征在4HSiC晶体内部形成的多晶嵌入式生长，多晶与单晶之间存在明显的衬度界线，如图9和图2产生原因在晶体生长过程中，温度场分布不合理或生长条件剧烈波动，导致多晶成核长大。多型1形貌特征在4HSiC晶体中，形成了6H、15R或3C等异晶型。其中，6H、15R晶型的颜色与4H晶型存层状分布差异，一般可通过多型分界线或者颜色不同来区分（6H呈翠绿色，15R呈暗黄色）、图13所示。2产生原因在晶体生长过程中，偏离了4H-SiC生长的生长窗口，而产生了有利于6H、15R或3C多型生而形成；或是晶体生长表面的污染物导致的异晶型成核生长而形成。硅滴包裹体1形貌特征生4H-SiC晶体内部形成的液滴形貌的硅组分夹杂，如图14所示。2产生原因在晶体生长过程中，远离晶体生长平衡态，硅组分分压过高，在生长界面形成Si单质颗粒，进主长的4HSiC单晶包裹而形成。碳包裹体1形貌特征由碳元素组成的固相原子团簇或小颗粒体，其形状和大小各异，如图15和图16所示。5.2 产生原因在晶体生长过程中，籽晶粘接不良造成籽晶背部负生长，在单晶内形成了中空结构。6层错(SF)6.1 形貌特征SF是指晶体中一定范围内晶面堆叠顺序的错误，范围的边界由PD构成。4H-SiC中SF面通01晶面，类型有两种，分别是ShOCidey型和Frank型。Shockley型SF可看作晶面的滑移，大多数Shockley型SF在P1.图像中呈三角形状，如图Frank型SF可看作增加或减少一个或多个晶面而形成堆垛错误，在P1.图像中呈条形状，如SF以及对应PD的类型也可用同步辐射X射线拓扑图像来进行区分：Shockley型SF对应1BUrgerS矢量为l3<1100,其形貌如图22所示;Frank型SF对应的PD的Burgers矢量是c/c4,其形貌如图23所示。6.2 产生原因Shockley型SF主要由于机械应力、温度分布不均匀引起的热应力，导致晶格失配、晶面错排籽晶过程中遗留在其表面上的残余划痕而导致。Frank型SF由于TSD的结构转变而形成。7穿透螺位错。SD)7.1 形貌特征在熔融KOH腐蚀后，TSD的蚀坑呈六边形，该六边形蚀坑是一个倒六面锥体，锥顶即蚀坑底尖并不在六边形蚀坑的中央，而是偏向1120方向，如图24所示。在同步辐射X射线拓扑TSD呈大尺寸的圆形亮点(相对于TED),如图25所示。注：TSD的BUrgerS矢量为IC或2c。7.2 产生原因由于TSD为穿透位错，籽晶中的TSD会遗传至所生长的单晶衬底中；或是在生长过程中籽晶、温度场设计不合理等因素在单晶内引入内应力及应变，导致部分晶格区域发生滑移，而造成成、滑移和增殖。8穿透刃位错(TED)各区域发生滑移，造成TED的形成、滑移和增殖。基平面位错(BPD)1形貌特征3PD是4H-SiC晶体中位于基晶面内的一种一维结晶缺陷，在熔融KOH腐蚀后，BPD的蚀坑如图28所示。在同步辐射X射线拓扑图像中，BPD呈线状，如图29所示。主：BPD的Burgers矢量为13<1120>,约为c3,与TED相同，小于TSD。2产生原因由于籽晶中的BPD遗传至单晶衬底中而形成，或是晶体生长过程工艺不稳定、引入热应力和成。)小角晶界0.1形貌特征小角晶界是由高密度TED和BPD构成的高应变区域，在熔融KoH腐蚀后呈现出腐蚀坑直立错组态，如图30所示。在同步辐射X射线透射拓扑图像中呈现沿着1100方向的线条状所示。0.2产生原因由于籽晶中的小角晶界传播穿透至衬底表面而形成；或是晶体生长过程中出现强烈干扰、工艺艺过度修正等原因导致大量TED和BPD聚集而形成。微管(MP)1.1 形貌特征MP是一种微米级直径的物理孔洞，本质为Burgers矢量数倍于TSD的穿透位错，其在SEN场表面图像和P1.图像的形貌，分别如图32和图33所示。在偏振光显微图像中，单个MP看起来像有四个明亮翅膀的蝴蝶，如图34所示；MP聚集区通?晶片边缘区域，其对比度相较于无MP区域较明显，如图35和图36所示。1.2 产生原因多型、碳包裹体、硅滴、籽晶背面升华等缺陷，导致局部应变和晶格畸变而形成；或是籽晶中的至单晶衬底中而形成。13崩边13.1 形貌特征局部边缘破损，并不贯穿衬底正、背表面，存在于衬底表面边缘区域，如图38所示。13.2 产生原因由于切割线摆动、研磨、抛光或倒角时，衬底局部承受压力过大、操作不当而形成；或是退火过变化引起晶体内部应力改变而形成。14缺口14.1 形貌特征局部边缘破损，贯穿衬底正、背表面，存在于衬底边缘区域，如图39所示。14.2 产生原因由于切割线摆动、研磨、抛光或倒角时，衬底局部承受压力过大、操作不当而形成。15裂纹15.1 形貌特征衬底内部至表面的解理或断裂，它不贯穿整个表面，易沿晶体的解理面产生，如图40所示。15.2 产生原因由于研磨、抛光过程中，磨料颗粒形状不规则，造成局部压强过大而形成；或是超声波清洗时底表面存在空化作用，局部存在剧烈的压力、温度变化而导致。16划痕16.1 形貌特征衬底表面上的一种宏观无规则较浅的细沟槽，其长宽比大于5:1,如图41图44所示。16.2 产生原因由于研磨和抛光时，研磨机磨盘质量不佳、磨料颗粒形状不规则、抛光液中混有硬质颗粒或抛不境不满足洁净度要求，造成衬底局部压强过大而形成。外延缺陷掉落颗粒物缺陷1形貌特征卓落颗粒物缺陷有两种典型形貌，一是孤立出现的大型点状形貌，如图47和图48所示；二是位物为头部，并伴随出现三角形缺陷，如图49和图50所示。掉落颗粒物缺陷一般可借助强光直接观察到，如图51所示。2产生原因在放片、传输、生长等过程中，反应室、传片腔体等内壁上的不定形碳、SiC小颗粒物或其他尘掉落在衬底或外延层表面上而形成。三角形缺陷1形貌特征三角形缺陷起始于外延层/衬底界而处，从基晶面内延伸到外延层表面，在外延层明场表面图像上均可观察到三角形图案的部分或整体，三角形缺陷沿1120方向的长度（1.）按公式（1）图52和图53、图54和图55、图56和图57、图58和图59,分别给出了由掉落颗粒物缺陷、T:和划痕引起三角形缺陷的典型形貌。1.=Tsin（4o）（式中：三角形缺陷沿1120方向的长度，单位为微米（Um）;r外延层厚度，单位为微米（Um）。2产生原因小延生长过程中，由于掉落颗粒物、乳凸等外来物，衬底表面划痕及TSD等缺陷影响了原子台形成。主：三角形缺陷属表面形貌缺陷，其本质是由变形的4H-SiC晶型边界和含有3C晶型夹层的三角形区域构成（OOOl）晶面上形成3C-SiC区域，所以在P1.图像中呈三角形图案。彗星缺陷1形貌特征生明场表面图像和P1.图像中呈现出彗星状图案，通常有独立的“脑袋”和“尾巴”，如图60和图彗星缺陷平行于1120方向，其长度随外延层厚度的增加而增大，且满足公式（1）。沿1120方向延伸，其长度随着外延层厚度的增加而增大，且满足公式(1)。由TSD引起的胡,其典型形貌如图62和图63所示；由划痕引起的胡萝卜缺陷，其典型形貌如图64所示。注：胡萝卜缺陷由三个缺陷组成，即基平面层错、棱柱面层错和两者交界处的阶梯杆状位错。基平晶面层错一个双原子层的Fmnk型层错，层错的一个边界为Fmnk型不全位错，层错堆垛序列为(2232),而棱柱i与3C-SiC包裹体相同，与外延层表面相交形成胡萝卜形形貌。4.2 产生原因由衬底中的TSD和衬底表面上的划痕所引起。5凹坑5.1 形貌特征在明场表面图像可观察到小凹陷或小坑状的形貌，在P1.图像上观察不到图案，如图65和图通过KoH腐蚀外延层前、后的对比可发现，外延层的凹坑分布与衬底TSD分布接近，如图8所示。5.2 产生原因由衬底中的凹坑、TSD和TED贯穿到外延层而形成。注：一般情况下，外延层厚度在30Um以下，主要观察到的是由衬底凹坑和TSD引起的外延凹坑；外延层30m以上，可以同时观察到由衬底凹坑、TSD和TED引起的外延凹坑。6梯形缺陷6.1 形貌特征在明场表面图像上呈梯形状，在P1.图像上观察不到图案，如图69图71所示。其由平00方向且长度不等的两条底边构成，短底边处于1120方向的上游，长底边处于1120方向两底边的间距随外延层厚度增加而增大，按公式(2)进行计算。D=Ttan(4o)式中：D梯形缺陷两底边的间距，单位为微米(um);T外延层厚度，单位为微米(Um)。6.2 产生原因由于BPD、TED、TSD和划痕周围的位错环，在Ho刻蚀过程中影响了原子台阶流动，而产而后因团簇效应使底边间距变大形成梯形缺陷。外延凸起1形貌特征外延晶片边缘高度凸起，形貌如图75所示。2产生原因由于外延晶片上游端边缘区域无原子台阶补充，或是晶片边缘应力引起三角形缺陷团簇，导致夕面高度与晶片边缘出现高度差。乳凸1形貌特征在明场表面图像上呈现为凸点或凸起状，但表面观察不到明显的异物，一般会伴随一条沿1100穿其中心的竖线，在P1.图像上一般观察不到任何图案，如图76和图77所示。2产生原因卜尺寸微小颗粒、3C-SiC颗粒、碳包裹体等在外延生长前阶段掉落在晶片表面而形成。)微管(MP)0.1形貌特征全明场表面图像中呈凹坑状，且在P1.图像中呈数倍于表面凹坑直径的螺旋纹图案，如图78所0.2产生原因由于衬底MP贯穿到外延层而形成。层错(SF)1.1形貌特征外延层的SF根据形貌特征可分为三类：第一类是SF的一条或两条边界在外延层表面形成可夫免且在P1.图像中呈三角形图案，如图79图82所示；第二类是明场表面图像中观察不到相但在P1.图像中呈三角形图案，如图83和图84所示；第三类是在P1.图像中呈现条形图案和图86所示。7a）所示，但在熔融KoH腐蚀后，TSD的蚀坑呈较大尺寸（相对于TED）的六边形或椭圆7b）所示。注1:TSD经常在外延层表面引起凹坑，小部分TSD会引起胡萝卜缺陷、台阶聚集或三角形缺陷。注2:TSD蚀坑的形状取决于KoH的腐蚀程度，随着程度的增加，由六边形向圆形转变。12.2产生原因主要由于衬底TSD向外延层的贯穿而形成，其密度与衬底TSD密度接近。13穿透刃位错（TED）13.1 形貌特征外延层的TED在没有引起其他缺陷的情况下，明场表面图像观察不到其相应的形貌和特7a）所示，但在熔融KoH腐蚀后，TED的蚀坑呈较小尺寸（相对于TSD）的六边形或椭圆7b）所示。13.2 产生原因由于衬底TED贯穿到外延层而形成；或是非平行于1120方向的衬底的BPD在外延生长衩的作用下转化为TEDo14基平面位错（BPD）14.1 形貌特征外延层的BPD在明场表面图像中观察不到形貌特征，但在P1.图像中呈现平行于1120方向案，如图88a）和图88b）所示。在熔融KOH腐蚀后，BPD的蚀坑呈贝壳状，如图88C）和图注：BPD在外延晶片的分布特点与其产生原因密切相关：由衬底贯穿的BPD一般是孤立出现，且长度基公式（1）,如图89所示；由三角形缺陷和MP等大尺寸缺陷引起的BPD,会以缺陷为中心，沿着11007对出现且呈对称分布，如图90和图91所示；由晶片边缘应力引起的BPD,沿着1100方向分布密集且大,如图92所示；由热应力引起的BPD,沿着1100方向成对出现，两个BPD之间的地方经常会伴随H出现，如图93所示。14.2 产生原因BPD的产生原因包括以下四种：a）平行于1120方向的衬底BPD向外延层贯穿；b）三角形缺陷和MP等大尺寸缺陷造成周边晶格应变，需要通过形成BPD来释放应力；c）晶片边缘由于机械磨抛加工和外延生长过程中的边缘效应所产生的应力引起大量BIa）所示。主：通过熔融KOH后发现，HU的本质就是BpD的滑移过程中沿途留下的BPD碎片列阵，如图94b）所示。14.3 生原因在外延生长过程中，由于MP、三角形缺陷和热应力引起的BPD滑移而形成。工艺缺陷氧化缺陷1形貌特征高温氧化过程会诱导形成深能级中心或ISSF型层错缺陷，如图95所示，该层错的不全位错Ilo0或1100方向发生形变，如图96所示。2产生原因H-SiC的热氧化过程中，硅和碳原子容易发生相分离而形成硅团簇和碳团簇。在氧化环境下不稳定，很容易被氧化生成SiO2O而与硅团簇相比，碳团簇比较稳定，只有部分碳团簇能够被COx气体，但COx气体并不能完全被排出，从而导致SiCSiO2界面碳团簇的形成。碳团簇开付也形成了碳空位，这些都是深能级。生长的SiO2薄层在高温氧化环境下引起体积膨胀形万立力，造成4HSiC内的位错迁移、扩张、增殖，形成层错。电应力诱导三角形层错1形貌特征电应力诱导的三角形层错，属于单Shockley型层错，其P1.图像和E1.图像分别如图97和图2产生原因人衬底贯穿到外延层中的BPD是电应力诱导三角形层错的主要原因，由于漂移层中BPD或位子空穴复合驱动下分解为两个不全位错并滑移扩展成为ShoCkIey型层错，激活能约为0.27eV,会立力诱导三角形层错。电应力诱导条形层错4干法刻蚀缺陷4.1 形貌特征刻蚀工艺在4HSiC外延层表面和侧壁产生不可逆的结晶缺陷，缺陷会在应力下发生扩Ol所示。4.2 产生原因CF4基RIE和ICP刻蚀等制造台面二极管和沟槽MoSFET的基本刻蚀工艺，在4H-SiC外延侧壁产生点缺陷或位错环，形成位错对，引起局部应变，在PN结处的局部应变或热应力下设其扩展。缺陷图谱晶锭缺陷图谱图1裂纹（强光手电光照，肉眼观察）图2加工裂纹（强光手电光照，肉眼观察图6多型纵切片（强光手电光照，肉眼观察图5多型（日光，肉眼观察）图7微管（强光手电光照，肉眼观察）衬底缺陷图谱对底缺陷图谱见图9图46。图8微管聚集区（强光手电光照，肉眼观察图11衬底中心多型（光学图像）图12衬底边缘多型1（光学显微图像）200m图13衬底边缘多型2（光学显微图像）图14硅滴包禀体（光学显微图像）100m图17六方空洞1（光学显微图像）图18六方空洞2（光学显微图像）20Uma）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图19六方空洞22ShOCkIey型SF（同步辐射X射线形貌术图像）图23Frank型SF（同步辐射X射线形貌术图24衬底TSD（光学显微图像，KOH腐蚀后）图25衬底TSD（同步辐射X射线拓扑图8衬底BPD（光学显微图像，KOH腐蚀后）图29衬底BPD（同步辐射X射线拓扑图像0小角晶界（光学显微图像，KOH腐蚀后）图31小角晶界（同步辐射X射线拓扑图像图32衬底MP（SEM图像）80Uma）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图33衬底MP200m图34衬底MP（偏振光显微图像）200m图42划痕（AFM图像）a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图43划痕图44划痕（暗场表面图像，ScN通道，激光散射法）外延缺陷图谱小延缺陷图谱见图47图94。a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图47孤立出现的掉落颗粒物缺陷1a）明场表面图像（QZro通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）700mc)P1.图像Ao占劳晒好In三a）明场表面图像（微分干涉法）100mb)P1.图像图49引起三角形缺陷的掉落颗粒物缺陷1a）明场表面图像（QZro通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）c)P1.图像图51掉落颗粒物缺陷（强光手电筒光照，肉眼观察）a）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图52掉落颗粒物缺陷引起的三角形缺陷1a）明场表面图像（OZrO通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）44100m100ma）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图54TSD引起的三角形缺陷1a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图56乳凸引起的三角形缺陷1c)P1.图像b)P1.图像图58划痕引起的三角形缺陷1a）明场表面图像（QZrO通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）c)P1.图像a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图60彗星缺陷180ma）明场表面图像（微分干涉法b)P1.图像图61彗星缺陷2a）明场表面图像（QZrO通道，激光散射法b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）c)P1.图像a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图65a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图66凹坑2OdOQ(100mAn图68凹坑4a）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图69梯形缺陷1a）明场表面图像（QZrO通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）1000mc）P1.图像图71梯形缺陷3因72公阶娶住a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图73划痕引起的台阶聚集1a）明场表面图像（QZrO通道，激光散射法）b）暗场表面图像（SCN通道，激光散射法）700m图75外延凸起（明场表面图像，微分干涉法）a）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图76乳凸1b)P1.图像a）明场表面图像（微分干涉法）图78外延层MPa）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图79表面有一条边界的SFl500mc）P1.图像图80表面有一条边界的SF2（续）a）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图81表面有两条边界的SFlc）P1.图像图82表面有两条边界的SF2（续）a）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图83表面无边界的SFl500m图84c）P1.图像表面无边界的SF2（续）a）明场表面图像（微分干涉法）b）P1.图像图85P1.呈条状的SFl旧场夷面图像（通道.敬泉做给事）500mc）P1.图像图86P1.呈条状的SF2（续）a）明场表面图像（微分干涉法，KOH腐蚀前）b）明场表面图像（微分干涉法，KOH腐蚀后图87外延层TSD和TEDa）明场表面图像（微分干涉法，KOH腐蚀前）b）P1.图像（KoH腐蚀前）图89衬底贯穿到外延层的BPD（P1.图像）800ma）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图90三角形缺陷引起的外延层BPDa）明场表面图像（微分干涉法）1000mb)P1.图像图92晶片边缘应力引起的外延层BPDa）明场表面图像（微分干涉法）b)P1.图像图93热应力引起的外延层BPD95高温氧化诱导层错高分辨TEM图,Zhdanov标记为（1,3）,1SSF层错图96高温氧化诱导层错（P1.图像）97电流应力后PiN二极管中三角形层错（P1.图像）图98电流应力后SiC双极性器件三角形层（E1.图像）a）P1.图像（p+nn+二极管，10min）c）P1.图像（p+nn+二极管,30min）b）P1.图像（p+nn+二极管，20min）d）P1.图像（p+nn+二极管，40min）图101源于台面侧壁的缺陷传播参考文献1T/CASAS004.220184H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱2:夏经华.碳化硅技术基本原理一一生长、表征、器件和应用M.北京：机械工业出版社，2025.2.12,5.3.5,5.3.10.1,6.2,图37,图65,图66,图67B列阵第4章，5.3.15,6.315.2.13,6.2,多晶5.1.3,6.1C第4章，5.2.6,5.3.11,5.4.1.1,5.4.1.2,5.4.2,5.4.3,5螺位错第4章，5.2.7刃位错第4章，5.2.8,5D力诱导三角形层错力诱导条形层错客颗粒物缺陷5.3.1,5.3.2.1,6.3,图47,图48,图49,图50,图51,图52型5.1.4,5.1.5.2,5.2.2,5.2.11.2,6.1,6.2,图5,图6,图11,图12G刻蚀缺陷商包裹体523,6.2,H卜缺陷5.3.4.1,6.3,图62,图635.2.16,5.3.2.1,5.3.2.2,5.3.4.1,5.3.4.2,5.3.6.2,5.3.7.2,6.2,6.3,P图42,图43,图44,图58,图59,图64,图73缺陷5.3.3,6.3,图60R5.3.2,5.3.9,6.3,图56,图57,图76,图S形缺陷5.3.1.1,5,321,53.8.2,5.3.14.2,5.3.15.2,6.3,图49,图50,图52,图53,图图55,图56,图57,图58,图59,图T聚集537.1,6.3,图72,图73,图裹体5.152,5.2.4,5.2.11.2,539.2,62图15,图决陷5.3.6,5.3.6.2,6.3,图69,图70,图W凸起5.3.8,6.3,图第4章，5.1.5,5.2.11,5.3.10.2,5.3.14.2,5.3.15.2,6.1,图7,X晶界5.2.10,6.2,图30,图Y决陷5Z.5.1.2,6.1,5.2.171,6.2,图45,图